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实操6- 米勒 CMOS 运算跨导放大器

米勒 CMOS 运算跨导放大器 (Miller CMOS OTA)

 

  1. 一级CMOS 运算跨导放大器

图1    一级CMOS 运算跨导放大器

 

晶体管设置:

N型管: L/W=1u/50u, P型管: L/W=1u/100u,

CL= 1pF ; Vdc=600m, Vin1=600m, Vin2=10uv (AC)+600mv Vdd=1.2v

图2    一级CMOS 运算跨导放大器静态工作点

 

查阅各晶体管工作状态和参数,发现晶体管PM2 处于1区, 即晶体管的放大区,这个状态不是我们所希望的状态;其余的晶体管都处于2区, 即晶体管的饱和区, 这是我们所需要的状态。

从图3 中可以得到: 增益G=40.2 dB, 增益带宽积GBW= 211MHz, 相位P= – 116 Deg

图3     一级CMOS 运算跨导放大器的增益, 增益带宽积和相位

 

调整设置Vdc=800mv, 晶体管PM2 和其余的晶体管都处于2区,调试工作完成,各参数如下图所示:

图4     一级CMOS 运算跨导放大器静态工作点

 

从图5 中可以得到: 增益G=43.05 dB, 增益带宽积GBW= 91.7MHz, 相位P= – 108 Deg

图5     一级CMOS 运算跨导放大器的增益, 增益带宽积和相位

 

与之前的模拟结果相比,总电流从355uA 降到 88uA,大幅下降,即功耗大大降低,但所带来的负面影响是增益带宽积也急剧减小。

根据图1中的公式:

GBW= gm1/2π(CL+Cn), Cn= 1/3CL= 0.33pF ; CL= 1pF, gm1= 771u

GBW= 771u/(2×3.14×1.33pF)= 92.3MHz, 与模拟结果91.7MHz 非常接近!

改变负载电容CL从1p 设置成 2pF:

从下图可以看到,负载电容改变前后, 增益带宽积GBW 由原来的 91.7MHz, 降到 53MHz。

同样由公式;GBW= gm1/2π(CL+Cn), Cn不变即仍是 0.33pF,CL 现在是 2pF:

GBW= 771u/(2×3.14×2.33pF)= 52.6MHz, 与模拟结果53MHz 非常接近!

图6     负载电容改变前后一级CMOS 运算跨导放大器的增益, 增益带宽积和相位

 

改变负载电容CL从1pF 设置成 0.5pF:

从下图可以看到,负载电容改变前后, 增益带宽积GBW 由原来的 91.7MHz, 增加到 140.6 MHz。

同样由公式;GBW= gm1/2π(CL+Cn), Cn不变,即仍是 0.33pF, CL 现在是 0.5pF:

GBW= 771u/(2×3.14×0.83pF)= 147.9MHz, 与模拟结果140.6MHz 接近!

图7     负载电容改变前后一级CMOS 运算跨导放大器的增益, 增益带宽积和相位

 

负载电容改变CL= 0.1pF, 模拟结果如下图,总电流保持不变,GBW= 255.1MHz;

同样由公式;GBW= gm1/2π(CL+Cn), Cn不变即仍是 0.33pF,CL 现在是 0.1pF:

GBW= 771u/(2×3.14×0.83pF)= 285.5MHz, 与模拟结果255.1MHz 相差较多;可能原因是由于负载电容变的很小,假设 Cn不变与实际情况有较大的误差。

图8     负载电容改变前后一级CMOS 运算跨导放大器的增益, 增益带宽积和相位

 

作为一级CMOS 运算跨导放大器,总电流88.8 uA 有些高,我们可以通过调整晶体管的长宽比来调节总电流。

晶体管PM2 晶体管的长宽比由原来的 1u/100u 调整到 1u/10u,由下面的仿真结果可以看出,总电流由原来的 88.8uA 降低到 8.88uA! 即总电流在晶体管的长度不变的情况下,与其宽度成正比!或者说,与晶体管的宽长比成正比。

根据图1中的公式:

GBW= gm1/2π(CL+Cn), Cn= 1/3CL ; CL= 1pF, gm1= 110.7u

GBW= 110.7u/(2×3.14×1.33pF)= 13.2 MHz, 与模拟结果13.3MHz 非常接近!

图9     通过调整晶体管的长宽比来调节总电流

 

从图3 中可以得到: 增益G=44.2 dB, 增益带宽积GBW= 13.3MHz, 相位P= – 108.2 Deg

由此可以看到;减小总电流,放大电路的增益略有增加,但增益带宽积显著下降;因此在设计放大电路时,可以在增益,带宽和功耗几个参数之间取折衷。

图10     调整晶体管的长宽比后的增益, 增益带宽积和相位

 

要将总电流 10uA, 通过计算,晶体管的长度保持不变,宽度为w=100ux10uA/88.8uA=11.3u;

从下图的仿真结果可以看到,总电流为 10.04uA,基本就是我们的目标值。

图11     通过调整晶体管的长宽比来调节总电流

根据图1中的公式:

GBW= gm1/2π(CL+Cn), Cn= 1/3CL ; CL= 1pF, gm1= 123.9u

GBW= 123.9u/(2×3.14×1.33pF)= 14.8 MHz, 与模拟结果14.3MHz 非常接近!

 

图12     调整晶体管的长宽比后的增益, 增益带宽积和相位

 

2.  米勒 CMOS 运算跨导放大器 (Miller CMOS OTA)

 

图13     米勒CMOS 运算跨导放大器

晶体管设置:

N型管: L/W=1u/50u, P型管: L/W=1u/100u, PM3单独设置:L/W=5u/90u

CL= 1pF ; Vdc1=800mv, Vdc2=900mv, Vin1=600mv, Vin2=10uv (AC)+600mvVdd=1.2v

 

通过上述设置,所有的晶体管都处于饱和区,即我们所需要的区域,设置完成!

该设置的不足之处,是晶体管PM2和PM3 分别是由不同的直流电压偏置,即不同的偏置电压,尝试设置为相同的偏置电压,但通过调节晶体管的参数,调节偏置电压值等方法,都不能达到需要的效果,因此暂时就这样,在之后的实操中,随着尝试更多的放大电路结构,有可能会找到解决方案。

图 14     米勒 CMOS 运算跨导放大器静态工作点 (未加米勒电容)

 

图15     米勒 CMOS 运算跨导放大器第一级,第二级和整体的增益, 增益带宽积和相位

 

将米勒补偿电容 Cc=300fF 添加在放大电路中,比较图14 和图16 可以看出,晶体管各参数,如gm, Vth等,以及静态工作点,增益等都没有变化,从放大器理论可知,其对带宽和相位有影响,对放大电路的稳定性也有影响,因此通过该补偿电容来稳定放大电路。

图16     米勒 CMOS 运算跨导放大器静态工作点 (加米勒电容)

 

图17     米勒 CMOS 运算跨导放大器第一级,第二级和整体的增益, 增益带宽积和相位

 

将单独整体跨导运放的仿真结果从图18中可以得到: 增益G=86.5 dB, 增益带宽积GBW= 2.73MHz, 相位P= 77.13 Deg

图18     米勒 CMOS 运算跨导放大器的增益, 增益带宽积和相位

 

改变米勒补偿电容 Cc 由原来的300fF 设置为 100fF , 将两种情况的仿真结果在下图中做对比,可以看出增益, 增益带宽积变化很小,而相位变化很大,正如之前提及的,通过补偿电容来调节放大器的相位裕度,从而提高稳定度。

图19     米勒 CMOS 跨导运放增益, 增益带宽积和相位 ( Cc= 100fF/ 300fF)

 

继续改变米勒补偿电容 Cc,设置为 600fF , 将两种情况的仿真结果在下图中做对比,可以看出增益, 增益带宽积变化很小,而相位变化很大,正如之前提及的,通过补偿电容来调节放大器的相位裕度,从而提高稳定度。

下图的增益G=86.5 dB, 增益带宽积GBW= 2.73MHz, 相位P= -14 Deg

图20     米勒 CMOS 跨导运放增益, 增益带宽积和相位 ( Cc= 600fF/ 300fF)

 

改变负载电容 CL由原来的1pF 设置为 2pF, 将两种情况的仿真结果在下图中做对比,可以看出增益不变, 增益带宽积随着负载电容的增大略有减小,,而相位有变化,但变化幅度与改变补偿电容无法相比,加之负载电容在电路确定后,一般不容易改变,所以不会通过改变负载电容来调节放大器的相位裕度。

下图的增益G=86.5 dB, 增益带宽积GBW= 2.2 MHz, 相位P= -7.2 Deg

图21     米勒 CMOS 跨导运放增益, 增益带宽积和相位对比 ( CL= 1pF/ 2pF)

 

负载电容 CL设置为 0.5pF, 从下图可以看到,各静态工作点,晶体管参数,总电流等均保持不变。

图22     米勒CMOS 运算跨导放大器静态工作点 ( CL=0.5pF)

图23     米勒 CMOS 跨导运第一级,第二级和整体的增益, 增益带宽积和相位 ( CL=0.5pF)

 

负载电容 CL分别为为 0.5pF/1pF/ 2pF, 将这三种情况的仿真结果在下图中做对比,可以看出增益不变, 增益带宽积随着负载电容的增大略有减小,而相位相对变化较大。

图24     米勒 CMOS 跨导运放增益, 增益带宽积和相位对比 ( CL= 0.5pF/1pF/ 2pF)

 

增加一接地电容 Cn1=100fF, 为补偿电容Cc的三分之一。

图25     加接地电容后米勒CMOS 运算跨导放大器静态工作点

 

图26     加接地电容后米勒 CMOS 运算跨导放大器增益, 增益带宽积和相位

 

接地电容 Cn1 设置为1p, 是补偿电容 Cc 的三倍;

下图分别是Cn1 设置为100fF, 300fF 和1pF 三种情况的对照图,分别对应: GBW; 2.75MHz , 2.74和 2.65 ; 增益和相位看不出变化。

 

图 27     不同接地电容下米勒 CMOS 跨导运放, 增益带宽积和相位 ( 100fF/300fF/1pF )

 

最后改变交流输入电压,由原来的 10uA 变为 50uA, 通过仿真发现,各晶体管静态工作点,参数,总电流,增益,相位等均保持不变;由于没有变化,放大器的静态工作点,增益, 增益带宽积和相位的仿真图在这里就省略了。

 

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