| 技术类型 |
FinFET |
改进版FinFET |
GAA（Nanosheet） |
改进版GAA（性能增强版） |
| 量产时间 |
2022年底试产
2023量产 |
2023年下半年量产 |
预计2025年下半年量产 |
预计2026年量产 |
| 晶体管密度 |
约255MTr/mm² |
约220MTr/mm² |
>300MTr/mm² |
比N2稍高（官方未明确） |
| 功耗降低（vs N5） |
~25%-30% |
~30%-34% |
~25%-30% |
~30%（对比N2） |
| 性能提升（vs N5） |
~10%-15% |
~18% |
~15% |
~18%-20%（对比N2） |
| 良率 |
较低（困难量产） |
高（接近5nm良率标准） |
初期挑战较大，逐步提升 |
预计比N2更稳定 |
| 特色优化 |
高性能优先，能耗一般 |
更平衡：性能、成本、良率 |
功耗控制优异，适合AI/移动端 |
高性能频率优先（比如AI HPC芯片） |
| EDA/IP生态支持 |
有限 |
完整支持 |
重新布局（需GAA优化版EDA） |
延续N2生态，重点在HPC |
重点补充解释：
-
N3B vs N3E
- N3B是早期版，主要给苹果尝鲜用（A17 Pro有一部分版本用的是N3B）。
- N3E是优化版，良率更高、成本更低，成为真正主力量产版本。
-
N2世代大变化
- 从FinFET转向GAA（Nanosheet）结构：电流控制更精细，漏电更小，更适合未来AI、HPC芯片需要的超低功耗+高频运作。
- 但切换新晶体管架构意味着初期良率挑战巨大，这就是为什么台积电N2量产时间比N3晚。
-
N2P定位
- 是N2的小幅优化版（P = Performance enhanced）。
- 主要针对高性能服务器、高速AI芯片，比如NVIDIA H200、B100之后的迭代产品。
整体趋势总结：
| 晶体管架构 |
FinFET → GAA（Nanosheet） |
| 客户布局 |
从手机客户（苹果）扩展到更多HPC（AI、服务器）客户 |
| 竞争对手 |
主要对手是三星（3GAP, 2GAP）、Intel（20A, 18A） |
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程序员和搬砖者，开发研制FPGA开发板和芯片CPU, 奇门遁甲，阴阳五行，周易八卦的学习者
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