| 特性 | N3B | N3E | N2 | N2P |
|---|
| 技术类型 | FinFET | 改进版FinFET | GAA（Nanosheet） | 改进版GAA（性能增强版） |
| 量产时间 | 2022年底试产 2023量产 |
2023年下半年量产 | 预计2025年下半年量产 | 预计2026年量产 |
| 晶体管密度 | 约255MTr/mm² | 约220MTr/mm² | >300MTr/mm² | 比N2稍高（官方未明确） |
| 功耗降低（vs N5） | ~25%-30% | ~30%-34% | ~25%-30% | ~30%（对比N2） |
| 性能提升（vs N5） | ~10%-15% | ~18% | ~15% | ~18%-20%（对比N2） |
| 良率 | 较低（困难量产） | 高（接近5nm良率标准） | 初期挑战较大，逐步提升 | 预计比N2更稳定 |
重点补充解释：
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N3B vs N3E
- N3B是早期版，主要给苹果尝鲜用（A17 Pro有一部分版本用的是N3B）。
- N3E是优化版，良率更高、成本更低，成为真正主力量产版本。
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N2世代大变化
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N2P定位
整体趋势总结：
| 演进方向 | 说明 |
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| 晶体管架构 | FinFET → GAA（Nanosheet） |
| 客户布局 | 从手机客户（苹果）扩展到更多HPC（AI、服务器）客户 |
| 竞争对手 | 主要对手是三星（3GAP, 2GAP）、Intel（20A, 18A） |
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