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台积电死对头三星电子(Samsung)4奈米代工良率不高,无法解决性能及过热问题

韩国科技大厂三星电子(Samsung)4奈米晶圆代工良率不高,无法解决性能及过热问题,其下一代Exynos处理器将改以5奈米製程生产,且改用于中阶机种,而Galaxy S23新旗舰机则采高通委请台积电以4奈米晶圆代工的Snapdragon 8 Gen 2应用处理器。

韩媒The Elec报道,三星Exynos处理器采用4奈米和5奈米製程,但由于4奈米的良率非常低落,性能和过热的问题仍然无法克服,因此三星计划未来预计推出的Exynos 2300将采用5奈米製程。

报道指出,高通Snapdragon 8 Gen 2应用处理器采用台积电4奈米製程,与5奈米的Exynos 2300相比,整体性能更上一层楼。据消息人士透露,因此三星不得不选择Snapdragon 8 Gen 2作为S23的处理器,而Exynos 2300则用于中阶机种。

另有消息人士指出,三星认为4奈米只是5奈米过渡3奈米的製程,投入的资源可能很少,但该人士补充,殊不知客户对4奈米的需求却高于预期。

三星芯片部门主管庆桂显(Kyung Kye-hyun)曾于9月承认,在4奈米与5奈米进度和良率方面,都双双落后竞争对手台积电。

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Posted in 晶圆制造

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