在日本研发成功无需光刻机的NIL工艺之后，近日美国一家企业Zyvex Labs 也宣布推出无需ASML的芯片制造工艺，并且制造工艺可达到0．768nm，打破了当前光刻机预期的1．8nm工艺极限，这对于ASML来说无疑是重大打击。
全球各个经济体研发无需光刻机的工艺，在于当下的光刻机实在太贵了，第一代EUV光刻机的价格达到1．2亿美元，第二代EUV光刻机达到4亿美元，昂贵的芯片制造设备正在快速推高芯片制造的成本。
此前台积电曾计划量产的3nm工艺最终没有一个客户接受，除了该工艺量产时间晚、性能不达标之外，还在于它的成本太高了，之前愿意采用该工艺的客户仅有Intel和苹果；至于三星的3nm工艺则没有公开客户，普遍认为采用了三星3nm工艺客户规模也不会太大。
如此情况下，芯片行业已开始探索无需光刻机的芯片制造工艺，进而降低芯片制造的成本。日本无疑是开创者，日本开发的NIL工艺已投入实际生产，被铠侠用于生产存储芯片，近期日本方面宣布NIL工艺已推进至10nm以下，预计NIL工艺可以推进至5nm。
如今美国的Zyvex也宣布推出了无需光刻机的芯片制造工艺，意味着通过技术变革是可以在当前以光刻机作为主要芯片制造设备的工艺有更多途径，尤为可喜的是Zyvex的工艺可以做到比以ASML的第二代EUV光刻机所能达到的1．8nm更先进，这可能会要了ASML的命。
其实ASML称霸光刻机市场也不过是自2008年开始，此前光刻机市场的两强是日本的佳能和尼康，ASML通过与台积电研发浸润式光刻机，共同取得了巨大的成功，ASML成为光刻机市场的老大，台积电则在芯片制造工艺居于全球领先水平，而日本的佳能和尼康则迅速衰落。
ASML的崛起其实也证明了技术的变革可以迅速成就一家企业，当然也会导致原来的赢家迅速衰落，同样的如今随着芯片制造技术的变革，那么ASML也是有可能迅速衰落的，正所谓后浪推前浪，前浪死在沙滩上。
ASML发展的浸润式的光刻机如今也已有近20年时间了，这近20年时间，ASML一直沿着浸润式光刻机的方向发展，并未有取得新的技术变革，然而正如上所述延续这条技术路线，导致芯片制造工艺的成本越来越高，到如今已经高到太多芯片企业已无法承受的地步。
日本研发NIL工艺和美国Zyvex研发的无需光刻机的芯片制造工艺，意味着全球芯片制造技术又已经到了变革的前夜，随着新的芯片制造技术到来，ASML的光刻机业务或许也就到了终结的时候了，ASML或许也将迅速步佳能和尼康的后尘而衰落。
日本研发NIL工艺和美国Zyvex研发先进工艺，对于中国芯片制造业来说无疑是重大启发，意味着推进无需光刻机的制造工艺正日益成熟，中国完全可以撇开ASML研发类似的无需光刻机的工艺
