成都海威华芯科技有限公司（简称“海威华芯”）成立于…
成都海威华芯科技有限公司（简称“海威华芯”）成立于2010年，总部位于成都市双流区物联大道88号，是中国领先的化合物半导体晶圆代工企业。公司专注于6英寸砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）晶圆制造，广泛应用于5G通信、雷达、光通信、卫星通信、物联网、新能源等领域。
公司概况
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成立时间：2010年
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总部地址：成都市双流区物联大道88号
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官方网站：www.hiwafer.com
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主营业务：提供6英寸砷化镓和氮化镓纯晶圆制造（Foundry）服务
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注册资本：约6.19亿元人民币
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股东结构：正威金控（34.01%）、海特高新（33.79%）、中国电子科技集团第二十九研究所（21.10%）
海威华芯是国内较早提供6英寸砷化镓和氮化镓纯晶圆制造服务的芯片制造企业，拥有完整的技术团队和先进的制造设备。公司已建成国内首条6英寸氮化镓半导体晶圆生产线，具备氮化镓600片/月、砷化镓2000片/月的晶圆制造能力。
技术与产品
海威华芯在化合物半导体领域具备完整的研发、设计与制造能力，涵盖以下材料和技术：
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砷化镓（GaAs）
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氮化镓（GaN）
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碳化硅（SiC）
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磷化铟（InP）
公司产品主要应用于国家重点项目、5G通信、雷达、基站、光通信、卫星通信、物联网、新能源等领域。海威华芯已成功申请核心专利255项，获得171项授权，其中发明专利76项。
战略发展与投资
2021年，海威华芯启动“跨越式发展计划”，拟投资不低于100亿元人民币，推动新项目落地。投资重点包括：车规级碳化硅SBD与MOSFET芯片、光学传感类VCSEL芯片、高功率密度的氮化镓快充与节能芯片、氮化镓基站射频类芯片等领域。
公司计划在川渝经济圈、环渤海区域、大湾区及长三角等国家政策导向下的重点发展地带，整合上下游产业链，构建全面且紧密的产业体系。
股权变动与纠纷
2021年6月，深圳正威金融控股有限公司向海威华芯增资12.88亿元人民币，成为其第一大股东。然而，增资完成后，海威华芯的第一、第二大股东之间出现纠纷，包括“夺章”、辞退高管、对簿公堂等事件，导致公司治理结构出现问题。中国电子科技集团第二十九研究所等国资背景股东陆续退出，公司亏损逐渐加深。
海威华芯官网简介
海威华芯成立于2010年，位于成都市双流区，是国内较早提供6吋砷化镓和6吋氮化镓纯晶圆制造（Foundry）服务的芯片制造企业。海威华芯投资21亿元，于2015年在中国建成了6吋砷化镓/氮化镓半导体集成电路芯片军民两用商业化生产线。2021年成功完成第三轮融资近20亿元，新的融资将持续用于开展化合物半导体芯片技术能力的突破及产能的提升，使海威华芯的技术能力持续保持领先，为行业内客户提供更为优质的服务。
公司规划用地225亩，拥有成熟的化合物半导体生产加工设备1200余台套，均为量产型机台，性能稳定、生产效率高、加工精度高。海威华芯建立了完整的技术团队，聚集多名国际知名咨询专家，国际大厂的生产制造人才，国内外知名院校的博士、博士后，人才梯队完整。
海威华芯是面向国内外提供6吋砷化镓/氮化镓半导体集成电路晶圆制造（Foundry）的芯片制造企业，其"6吋GaAs/GaN生产线"是半导体产业链不可或缺的重要环节，已达到业内先进水平。目前，公司在化合物半导体制造领域已取得较为突出的成果，成为国内知名的化合物半导体制造企业之一，其开发的第二/三代化合物半导体制程，实现了多项技术国内第一，大尺寸碳化硅基氮化镓晶圆制造技术甚至达到亚洲领先的水平。
公司主要制程产品包括：6吋砷化镓0.15μm、 0.25μm pHEMT制程，6吋GaN 0.15um、0.25um 、0.5um制程，SiC SBD制程，SiC MOSFET制程，光电VCSEL、LD、PD芯片制程等，能够满足客户在射频、电力电子、光通讯、激光3D感知等芯片领域的流片服务需求。