台积电未来制程路线图（N3 → N2 → A16 → A14）
➔ 2023-2025：N3世代
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N3B（2022年底试产，2023量产）
初版3nm制程，采用改良FinFET结构，良率一般，主要为苹果、少量高性能客户服务。 -
N3E（2023年下半年量产）
真正大规模商用的3nm版本，性能稍降但良率和成本大幅优化，成为主流。 -
N3P（2024年推出）
N3E的增强版，频率提升，功耗进一步下降，面向性能更敏感的芯片。
➔ 2025-2027：N2世代
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N2（2025年下半年试产量产）
台积电首个采用GAA Nanosheet晶体管的节点，性能、能效双跃迁，适合移动端和高效能计算。
苹果A19/A20芯片预计率先导入。 -
N2X（可选项，若有需求）
进一步强化的高性能版，尚未正式公布，但可能针对超大规模AI模型推理加速器。
➔ 2026-2028：A16（1.6nm）世代
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A16（约2026年底或2027年量产）
代号”A16″（Advanced 1.6nm），正式从“N系列”命名跳到“A系列”，标志着台积电进入真正1字头世代。
仍使用GAA Nanosheet，但晶体管堆叠技术（如CFET，Complementary FET）可能在这代开始小规模试水。
主打极致功耗控制，适配智能手机SoC、轻量化AI运算芯片。
➔ 2028-2030：A14（1.4nm）世代
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A14（约2028年量产）
台积电计划在A14节点引入更加彻底的CFET晶体管架构（P沟道、N沟道堆叠整合），突破单平面极限。
同时结合新的背面供电（Backside Power Delivery）技术，大幅降低供电阻抗，提高频率上限。
晶体管密度预估会进一步逼近450-500MTr/mm²（百万晶体管/mm²），比N2提升超50%。
台积电制程趋势总结
- 从FinFET过渡到GAA（Nanosheet），再进一步向CFET演进。
- EUV光刻技术持续深化，到A16、A14世代全面应用High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻机）。
- 背面供电成为突破瓶颈的关键技术，预计A16小规模试点，A14全面应用。
- AI、HPC芯片的重要性持续上升，成为制程创新主要推动力之一，逐渐超过传统移动SoC驱动地位。
额外注意
- 台积电内部曾经提到过：1.4nm以后继续推进摩尔定律非常困难，所以A14之后，很可能不是纯制程微缩，而是走3D堆叠（如系统级封装CoWoS、SoIC）+新型晶体管结构的组合路线。
- 换句话说，到了A14节点，“先进制程”可能不再只是比线宽、晶体管密度，还要看3D立体集成的深度。
台积电制程演进技术树
【阶段一】
传统FinFET强化期（2014–2025）
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16nm FinFET（2014）
→ 第一次从平面MOSFET过渡到三栅极（FinFET），提升电流控制力。 -
10nm FinFET（2016）
→ 线宽进一步收窄，但制程良率、成本困难大，短暂过渡。 -
7nm FinFET（2018）
→ 成功商用EUV光刻（少量层次），成为全球主流先进制程。 -
5nm FinFET（N5/N5P）（2020）
→ 大规模引入EUV光刻，多达14-17层EUV，开启高密度量产时代。 -
3nm FinFET（N3B/N3E）（2022–2025）
→ 继续优化FinFET结构，逐步接近物理极限（Fin高度拉伸，Gate Pitch缩小到~42nm）。
【阶段二】
GAA Nanosheet转型期（2025–2027）
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2nm GAA（N2/N2P）（2025–2026）
→ 从鳍式（Fin）晶体管升级到**环绕式（Gate-All-Around，GAA）**晶体管，晶体管电流路径包覆更紧密。
→ 使用Nanosheet（纳米片）取代Fin，支持灵活调整通道宽度（多片式布局）。
→ 性能与功耗同时大幅优化，支撑高频AI/HPC运算。
【阶段三】
初步探索CFET+Backside Power（2026–2028）
【阶段四】
完全CFET+系统级3D整合期（2028–2030）
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1.4nm（A14）（2028–2029）
→ 正式转向全CFET晶体管（P沟道、N沟道上下堆叠），打破单层晶体管布局极限。
→ 全面应用背面供电（Power Rail移到晶体管背面），推高运算密度和频率。
→ 结合SoIC（3D晶片堆叠）、CoWoS-Advanced等封装技术，实现”制程+封装”一体最优化。
总结一句话：
台积电制程演进，从FinFET密度堆叠 → GAA环绕电极 → CFET互补晶体管 → 3D系统级整合，每一阶段都解决了上一阶段的物理极限。
