为缺芯、台积电和地缘政治等多种因素的影响，大家对半导体产业的关注度火速提升。这也让ASML这些原本在背后默默支持半导体产业发展的企业被“赶”到了台前。作为全球领先的半导体设备供应商，这家来自荷兰的企业提供了全球芯片生产都绕不开的关键设备——光刻机。尤其是在EUV光刻机方面，市场的关注度更是空前。
这一方面是因为这个设备是芯片制造工艺走向7nm芯片制造工艺以下的关键；另一方面，这个设备的售价高达上亿美金，且只有ASML一家能做。因此其吸引了全球那么多的目光也情有可原。
正如很多分析人士所说，EUV光刻机真可以称得上是芯片制造的“皇冠”。
以EUV光刻机为例，ASML技术开发副总裁Tony Yen在今年三月接受媒体采访的时候曾经表示，EUV光刻机由超过10万个精密零部件组成；相关报道也指出，EUV光刻机重量达180吨，体积十分庞大，需要0.125万千瓦的电力，来维持250瓦的功率；纽约时报在之前一篇介绍ASML的文章中更是强调，EUV光刻机的运送需要使用40个集装箱、20辆卡车和三架波音747飞机。
这样一个庞然大物，不但需要在晶圆上做一些精度极高的工作，而且还需要保持更高的产能，从其部件构成上看，正如其名字“光刻机”所定义的一样，“光”就成为了EUV光刻机中的重要一环。要明白这一切，就首先得从光刻机的工作原理谈起。
从一条公式谈起
正如ASML所说，光刻的本质其实是一个投影系统。光线被投射通过掩模版，成像在晶圆上，最终在晶圆上一层一层建立起复杂的晶体管。在光刻技术不断朝着“更小”迈进的征程上。在光刻领域，有一个公式和“摩尔定律”一样引导着行业的发展。而与摩尔定律不同的是，这一物理公式所揭示出的光学原理似乎更加难以逾越。那就是几乎悬挂在ASML每个办公室的瑞利判据（Rayleigh criterion）公式。
瑞利判据公式（source：ASML）
如上图所示，在瑞利公式中，K1是一个常数，取决于与芯片制造工艺有关的许多因素。按照ASML的说法，其物理极限值是 0.25。λ则代表光刻机使用光源的波长；NA则是光学器件的数值孔径，描述了它们能够收集光的角度范围；CD 代表线宽，即可实现的最小特征尺寸，大家所谈的几纳米芯片，就是为了把这个CD值做得更小。
从公式可以看到，为了让CD变得更小，除了将K1和λ变小以外，把NA变大也是降低CD的一个选择。据笔者了解，目前K1的值已经接近极限。为此行业把降低λ和提高NA作为继续延续摩尔定律的重要发力方向。
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