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什么是DUV光刻机?DUV光刻机的工作原理

DUV光刻机,全称为深紫外光光刻机(Deep Ultraviolet Lithography Machine),是用于制造半导体芯片的设备之一。它使用深紫外光(波长通常为193纳米)进行光刻,将微小的电路图案印刻在硅片上。相比于更先进的EUV光刻,DUV光刻仍然是目前半导体制造中最广泛使用的技术,尤其是在14纳米及以上制程节点中。

一)DUV光刻机的工作原理

DUV光刻机(Deep Ultraviolet Lithography Machine)是一种使用深紫外光进行半导体芯片制造的设备,主要用于28纳米及以上的工艺节点,并且仍广泛用于许多工艺流程中。DUV光刻的工作原理依赖于光学投影技术,将集成电路图案从掩模转移到涂有光刻胶的硅片上。以下是其详细工作原理的解释:

1. DUV光源的产生

DUV光刻机通常使用深紫外(Deep Ultraviolet,DUV)光作为光源,最常用的是193纳米的氟化氩(ArF)准分子激光,也有一些早期设备使用248纳米的氟化氪(KrF)激光。DUV光源的产生是光刻工艺中的一个重要环节。

  • 准分子激光器:ArF准分子激光器通过高压气体放电来激发氟化氩分子,这些分子会放出能量并产生193纳米波长的光。氟化氩激光是一种短脉冲、高能量的激光,非常适合用于光刻,因为它能够提供高能量密度的光源来曝光硅片上的光刻胶。
  • 光束整形与控制:激光器产生的光经过一系列光学元件的处理,包括整形、滤波、准直等,以确保光束均匀性和稳定性,满足高分辨率光刻的需求。

2. 掩模与电路图案

DUV光刻机使用掩模(或称为掩膜版,mask)来定义要转印到晶圆上的电路图案。掩模是光刻的关键部分,它决定了芯片的电路设计如何在硅片上生成。

  • 掩模结构:掩模通常由石英基底制成,表面涂有不透光的材料(如铬),形成所需的电路图案。光在掩模上的透明区域可以通过,而在不透明区域被遮挡,从而在晶圆上形成相应的图案。
  • 光刻图案:掩模上刻有芯片所需的复杂电路图案。当光通过掩模时,这些图案会被光学系统投影到硅片上,精确地印刻出电路的形状。

3. 光学投影系统

DUV光刻机的核心是光学投影系统,它将掩模上的图案缩小并精确投影到硅片上。光学系统主要由高精度透镜组构成,通过透镜折射和聚焦,形成晶圆上的图像。

  • 透镜系统:DUV光刻机使用一系列高质量透镜来聚焦和缩小光束。透镜的材料通常是氟化钙(CaF₂),因为它对193纳米波长的光具有很高的透光率,能够最大程度减少光的损耗和畸变。
  • 光学缩放:为了确保足够高的分辨率,DUV光刻的光学系统通常设计为4倍或5倍的缩放比例,即掩模上的图案在晶圆上以1/4或1/5的大小成像。
  • 光学对准与自动校正:由于纳米级的精度要求,光刻过程中需要实时对掩模和晶圆进行对齐和校正。使用激光干涉仪和高级传感器来监控晶圆的定位,确保图案准确对准并纠正任何微小的偏差。

4. 光刻胶曝光

晶圆表面涂有一层光刻胶(photoresist),这是一种对紫外光敏感的聚合物材料。光刻胶的作用是当光通过掩模曝光时,发生化学变化,形成与掩模图案对应的图像。

  • 正胶与负胶:光刻胶有两种类型:
    • 正光刻胶:曝光后光刻胶被光照射的区域会变得可溶于显影剂,未曝光区域则保持不变。
    • 负光刻胶:与正胶相反,曝光区域变得不溶于显影剂,未曝光区域会被显影剂溶解。
  • 曝光步骤:当经过聚焦和缩放的DUV光束通过掩模后,晶圆上涂有光刻胶的区域会发生化学反应,改变材料的溶解性。在显影过程中,这些区域会根据曝光情况被去除或保留,从而在晶圆表面形成精确的电路图案。

5. 显影过程

在曝光完成后,晶圆进入显影阶段。显影是通过使用化学溶液去除未曝光或已曝光的光刻胶,从而将图案显现出来。显影完成后,晶圆上就形成了对应电路的光刻胶保护层。

6. 蚀刻与层次构建

在显影之后,光刻胶图案用作蚀刻掩膜,保护不需要蚀刻的部分。蚀刻工艺通常分为两类:干蚀刻和湿蚀刻。

  • 干蚀刻:通过等离子体反应将未被光刻胶保护的部分蚀刻掉,这是一种非常精确的蚀刻方式,适合复杂图案和多层结构。
  • 湿蚀刻:使用化学液体腐蚀未被保护的部分,这种方式适合较简单的图案,但精度不如干蚀刻。
  • 多层光刻工艺:现代半导体制造需要构建多层电路结构,这意味着光刻和蚀刻步骤会重复进行,每一层电路通过独立的光刻工艺逐层叠加,最终形成复杂的3D电路结构。

7. 多重图案化技术(Multiple Patterning)

随着半导体制程技术的进步,DUV光刻的分辨率在14纳米及以下节点上开始受到波长的限制。为了解决这一问题,DUV光刻使用了多重图案化技术,以增加分辨率。

  • 双重图案化(Double Patterning):通过多次曝光和蚀刻,将一个图案分为两个步骤实现,这样可以在更小的区域内形成更复杂的图案。
  • 四重图案化(Quadruple Patterning):进一步细分图案,使得同一个电路层经过四次光刻、显影和蚀刻,能够制造更小的电路特征。

8. DUV光刻中的关键技术挑战

  • 分辨率限制:由于DUV光刻的波长相对较长,分辨率受限。虽然通过多重图案化可以克服这一问题,但多重曝光增加了工艺复杂性和制造时间。
  • 光刻胶的敏感性:DUV光刻对光刻胶的要求非常高,光刻胶需要具备极高的光敏性和分辨率,同时能够在显影和蚀刻过程中保持结构完整。
  • 对齐与控制精度:在纳米级别的工艺中,任何微小的偏差都会导致电路失效。因此,DUV光刻对对齐精度和晶圆的平整度控制非常严格。

9. 真空和温控系统

虽然DUV光刻不需要像EUV光刻那样在真空中工作,但对光刻机内部的温度和环境控制也非常严格。光学系统需要保持稳定的温度,以避免热膨胀影响光学元件的精度。

二)DUV光刻机的关键特点

DUV光刻机,全称为深紫外光光刻机(Deep Ultraviolet Lithography Machine),是用于制造半导体芯片的设备之一。它使用深紫外光(波长通常为193纳米)进行光刻,将微小的电路图案印刻在硅片上。相比于更先进的EUV光刻,DUV光刻仍然是目前半导体制造中最广泛使用的技术,尤其是在14纳米及以上制程节点中。

  1. 使用深紫外光
    • DUV光刻技术使用波长较短的紫外光,通常为193纳米的ArF(氟化氩)准分子激光,也可以使用248纳米的KrF(氟化氪)激光。
    • 虽然波长比EUV光刻的13.5纳米要长,但相较于可见光的波长,DUV光已经能实现较高的分辨率。
  2. 光刻掩模
    • 在光刻过程中,光刻机使用掩模(mask)来定义要印刻的电路图案,DUV光通过掩模将电路图案投影到硅片表面的光刻胶上。
  3. 投影光学系统
    • DUV光刻机依靠透镜系统(而非反射镜)将光线聚焦和整形,使其能够准确地在晶圆上成像。这也是DUV与EUV光刻的一个显著区别,因为EUV光不能使用透镜。
  4. 多重图案化
    • 为了克服DUV光波长相对较长的限制,DUV光刻常使用多重图案化技术(multi-patterning),即在多个步骤中依次叠加不同的图案,从而实现更高的分辨率。这种技术可以在28纳米以下的节点上继续使用DUV光刻技术制造芯片。

DUV光刻的优势:

  • 成熟技术:DUV光刻技术已经经过多年发展,工艺成熟,设备成本相对较低,适合大规模量产。
  • 广泛应用:尽管EUV光刻机正在推动更先进制程的发展,但DUV光刻仍然在生产14纳米、28纳米以及更大节点的芯片中广泛使用。
  • 兼容性好:DUV光刻技术可以结合多重图案化工艺延长使用寿命,在中端制程中表现出色。

DUV光刻的挑战:

  • 分辨率限制:由于DUV光波长相对较长,其分辨率有限,在7纳米及以下制程节点上变得不够用。
  • 多重图案化的复杂性:多重图案化虽然可以提升分辨率,但增加了工艺步骤、制造时间和成本,影响了芯片生产效率。

总结

DUV光刻机是一种使用193纳米波长深紫外光的芯片制造设备,在半导体行业中应用广泛,特别是在14纳米及以上的工艺节点中。它具有技术成熟、成本相对较低的优点,但在分辨率方面比不上EUV光刻。尽管EUV光刻正在接管更先进的制程节点,DUV光刻依然是半导体制造的重要工具之一。

三)DUV光刻机的厂家名单

DUV光刻机的制造商主要集中在少数几家全球领先的半导体设备供应商,它们为全球的芯片制造商提供关键的光刻设备。以下是一些主要的DUV光刻机厂家:

1. ASML(荷兰)

  • 简介ASML是全球最大的光刻机制造商,也是唯一能够生产EUV(极紫外光)光刻机的公司。ASML的DUV光刻设备在全球市场占据主导地位,广泛应用于半导体制造领域。
  • 产品线:ASML提供多种DUV光刻设备,使用193纳米的ArF和248纳米的KrF光源。
    • ArF沉浸式(ArFi):用于制造7纳米及以上节点的芯片。
    • ArF干式(ArF Dry):用于更大节点的芯片制造。
    • KrF光刻机:用于相对成熟的节点,特别是28纳米及以上。

2. 尼康(Nikon,日本)

  • 简介尼康是日本著名的光学设备制造商之一,也是DUV光刻机的主要供应商之一。虽然在EUV领域尼康的市场份额较小,但其DUV设备在高产能和成熟工艺节点中有着重要市场。
  • 产品线:尼康的DUV光刻设备主要包括ArF和KrF光刻机,应用于半导体的多个工艺节点。
    • ArF沉浸式光刻机:适用于先进节点。
    • KrF光刻机:用于成熟制程的芯片生产。

3. 佳能(Canon,日本)

  • 简介佳能是另一家重要的日本半导体光刻机制造商。佳能主要在中低端制程节点的DUV光刻机市场上有较大的市场份额,特别是在应用于图像传感器MEMS、功率器件等领域。
  • 产品线:佳能的DUV光刻机涵盖了KrF、i-line等不同波长的光源,主要用于相对成熟的节点。
    • i-line光刻机:适合更大节点的芯片制造。
    • KrF光刻机:应用于28纳米及以上的工艺节点。

4. SMEE(上海微电子,中国)

  • 简介上海微电子设备股份有限公司(SMEE)是中国国内唯一的光刻机制造商,主要研发和生产DUV光刻设备。虽然SMEE目前还无法制造先进的EUV光刻机,但其DUV设备在中国市场尤其是成熟工艺节点中得到了应用。
  • 产品线:SMEE主要提供193纳米和248纳米的DUV光刻机,用于制造LED芯片、MEMS器件和功率半导体等产品。

总结:

  • 全球市场的领军者是ASML,它主导了高端光刻市场,特别是在先进制程节点上。
  • 日本的尼康和佳能则在成熟制程和中端市场占有一定的市场份额。
  • 中国的SMEE在国内市场开始占据一席之地,尤其是在成熟制程中逐步获得应用。
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Posted in 晶圆制造, 设备

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