截至 2026 年 8 月，中国 DUV 光刻机已经出现了一个相当关键的转折：国产浸没式 DUV 已从“长期研发/样机阶段”进入小批量生产和晶圆厂验证阶段。但如果问“是不是已经可以替代 ASML”，答案仍然是：还远没有。
一句话概括
国产干式 DUV：基本成熟；国产浸没式 DUV：刚刚跨过工程化门槛；先进制程大规模生产：目前仍高度依赖 ASML DUV。
这是我认为目前最准确的表述。
1. 中国现在真正成熟的国产 DUV，大约还是 90nm 级
上海微电子目前官网公开的 SSX600 / SSA600 系列，可以用于 IC 前道制造，覆盖 90nm、110nm、280nm 等工艺层。
也就是说，中国早已经不是“完全造不出光刻机”，而是能够制造：
上海微电子自己的产品页面仍明确把 SSX600 定位在 90nm 前道制造。
真正困难的，一直是下面这一台：
193nm ArF Immersion，也就是浸没式 DUV。
这才是从 90nm 向 28nm、14nm，甚至通过多重曝光向 7nm 延伸的关键设备。
2. 2026 年最大的变化：国产浸没式 DUV 开始生产了
这是今年非常重要的变化。
2026 年 7 月 28 日，路透社报道，中国已经开始生产国产 浸没式 DUV 光刻机。
负责这项工作的并不只是大家过去熟悉的上海微电子，而是一家上海国资背景公司：
Shanghai Aishengna Electronic Technology Group，爱晟纳。
路透称，这家公司整合了：
形成了一个新的国产浸没式 DUV 整机平台。
而且这次不是仅仅说：
“研制成功。”
报道给出了具体生产数字：
2026 年：约 5 台
2027 年：计划约 20 台。
首批设备计划提供给：
进行产线验证。
这和过去几年的“28nm 光刻机即将交付”传闻性质已经不完全一样了。
3. 但是千万不要把“量产光刻机”理解成“已经量产芯片”
这是目前报道里最容易误解的地方。
路透用了：
mass producing
所以很多中文媒体直接翻译成：
国产 DUV 已经大规模量产。
严格地说，这样说容易造成误导。
目前更准确的状态应该是：
光刻机本身
已经进入小批量制造。
晶圆厂
开始进行：
qualification / process integration / production-line validation
也就是：
- 套刻测试
- 稳定性测试
- 缺陷测试
- throughput 测试
- 工艺匹配
- 长时间运行
- 良率验证
并不是已经拿这五台机器昼夜不停生产 7nm 芯片。
路透援引分析师的话也特别指出：
制造几台浸没式 DUV，与能够用于高产量芯片制造完全不是一回事。
真正决定光刻机是否成熟的是：
yield + overlay + throughput + reliability。
这句话非常关键。
4. 那么这台国产 DUV 大约是什么水平？
目前官方没有公开完整参数，因此这里必须很谨慎。
外界普遍把它看作：
28nm-class ArF immersion DUV
也就是：
193nm ArFi。
大概可以理解为中国终于开始进入 ASML 十多年前已经成熟的浸没式 DUV 技术区间。
但这里有一个经常出现的误解：
“28nm 光刻机”并不意味着光学分辨率就是 28nm。
例如 ASML 的 NXT:1980Di：
- 光源：193nm ArF
- NA：1.35
- 实际光学分辨率：约 38–40nm
- 但可以用于 28nm，以及通过多重图形化用于更先进节点。
ASML 官方给出的 NXT:1980Di 参数包括：
38nm resolution
以及约：
1.6nm 单机 overlay / 2.5nm machine-matched overlay。
因此所谓“28nm DUV”，实际上是：
scanner + mask + OPC + resist + etch + multipatterning + metrology
共同实现的工艺节点。
5. 那国产 DUV 能不能做 7nm？
理论上：可以。
工程上：目前不能说已经成熟。
这是两个完全不同的问题。
DUV 本身并不是只能做到 28nm。
ASML 很早以前就使用浸没式 DUV +：
- Double Patterning
- LELE
- SADP
- SAQP
不断向更小尺寸延伸。
ASML 早在 2017 年就明确表示 NXT:1980 被用于 7nm foundry process development。
中芯国际已经证明：
没有 EUV，也可以用 DUV 多重图形化制造 7nm 级芯片。
所以，从物理和工艺原理看：
国产 28nm-class immersion DUV 将来完全可能走到 14nm → 7nm。
问题不是“能不能曝光出来”。
问题是：
能不能低成本、高良率、高 throughput、大规模地曝光出来。
这才是 ASML 的护城河。
6. 国产 DUV 与 ASML 最大差距，其实不是“193nm 光源”
很多人会认为：
都是 193nm ArF，应该差不了多少。
其实完全不是这样。
一台先进浸没式 DUV 的核心竞争力包括：
① Projection Lens
NA 1.35 的超高精度投影物镜。
② Wafer Stage
晶圆台高速运动的同时必须达到纳米级定位。
③ Reticle Stage
光罩台同步控制。
④ Overlay
不同曝光层必须精准重合。
⑤ Focus
整片 300mm 晶圆必须保持非常精确的焦平面。
⑥ Immersion system
镜头与晶圆之间高速流动的超纯水。
⑦ ArF Excimer Laser
193nm 高功率、高稳定度光源。
⑧ Metrology
机器必须不断测量和校正自身误差。
⑨ Software
现代光刻机其实也是一台巨大的实时控制计算机。
⑩ Reliability
一天跑数千片晶圆，连续数月运行。
真正困难的是：
把这些系统变成一台每天稳定运行的工业机器。
7. 为什么 ASML 仍然领先很多？
可以直接看 ASML 当前成熟 DUV 的数据。
ASML 新版本 NXT:1980Fi 已经达到：
330 wafers/hour
同时保持：
38nm resolution
以及大约：
2.5nm matched overlay。
这意味着一台机器一天理论处理能力可以达到数千片 wafer。
而中国新机器目前甚至：
- throughput
- overlay
- availability
- MTBF
- defectivity
- lens performance
这些最关键指标都没有公开。
所以不能简单地说：
中国 DUV = ASML DUV。
目前更像是：
中国终于拥有了一套真正可以送入先进晶圆厂验证的国产 ArFi 平台。
意义非常大，但仍属于第一代工程化产品。
8. 国产化率也还不能说 100%
这一点也值得注意。
The Information 的报道显示，这台国产浸没式 DUV：
大部分部件已经国产化，但仍有一些关键部件来自日本。
而且部分国产供应链延误，已经影响到今年的产量。
因此现在说：
“100% 国产 DUV”
还为时过早。
更准确应该说：
国产整机 + 高比例国产供应链 + 少量关键进口部件。
9. 那中国现在实际制造先进芯片靠什么？
这个问题非常重要。
目前中国先进芯片制造的主力仍然是：
ASML DUV
而不是国产 DUV。
中国过去几年购买了大量 ASML：
TWINSCAN NXT:1980i
以及更早购买的：
- NXT:2000i
- NXT:2050i
- 部分更先进系统
这些机器构成中芯国际等晶圆厂现有的先进 DUV installed base。
因此目前中国实际上是两条线同时运行：
|
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 |
ASML DUV ↓ 当前主力生产 ↓ 28nm / 14nm / 7nm-class 国产 DUV ↓ 小批量生产 ↓ 晶圆厂验证 ↓ 逐步替代 ASML |
这才是 2026 年真实状态。
10. ASML 在中国仍然卖很多 DUV
这一点也说明国产替代远没有完成。
ASML 2025 年全年：
29.1% 的销售额来自中国。
ASML 自己还特别表示：
2025 年中国 DUV 业务比预期更强。
到了 2026 年上半年，路透报道：
中国仍占 ASML 净销售额约 16%。
而中国购买的主要就是：
非受禁的 DUV 设备。
所以中国晶圆厂短期内不可能突然完全停止使用 ASML。
11. 出口管制现在卡在哪里？
中国已经完全买不到：
ASML EUV
而 DUV 则是分级管制。
例如：
- NXT:2100i
- NXT:2050i
- NXT:2000i
等先进浸没式 DUV 已经受到严格出口许可限制。
2024 年以后：
NXT:1980i / 1970i
也被纳入荷兰出口许可制度。
但中国此前已经大量购买并安装这些机器。
因此中国现在的战略实际上非常清楚：
继续使用已有 ASML DUV，同时尽快把国产 ArFi 顶上来。
12. 我会怎样给 2026 中国 DUV 定位
如果用 5 个阶段来表示：
| 阶段 | 状态 |
|---|---|
| 90nm 国产干式 DUV | 🟢 成熟 |
| 28nm 国产浸没式 DUV 样机 | 🟢 已突破 |
| 28nm 国产 DUV 小批量生产 | 🟢 已开始 |
| 晶圆厂大规模稳定生产 | 🟡 正在验证 |
| 7nm 国产 DUV HVM | 🔴 尚未证明 |
所以现在已经不能再说：
“中国只能做 90nm 光刻机。”
这句话到 2026 年已经过时了。
但是另外一种说法：
“中国已经完全攻克 28nm，马上国产 DUV 做 7nm。”
同样过于乐观。
目前最准确的说法是：
中国国产浸没式 DUV 已进入工程化和小批量生产阶段，但尚未证明达到先进晶圆厂大规模高良率生产所要求的 ASML 级 overlay、throughput 和可靠性。
而我认为它真正重要的地方不是“今年能不能做 7nm”，而是：
中国终于开始拥有一条可以不断迭代的国产浸没式 DUV 整机平台。
从产业意义上，这一步比某一次“成功曝光 7nm 图形”更加重要。
如果这个平台能够从 2026 年约 5 台 → 2027 年约 20 台 → 每年几十台，并且 overlay 和可靠性持续改善，那么中国光刻机真正的转折点，很可能就是 2026–2028 这几年。
这件事变化很快，我可以继续跟踪 国产 DUV 的实际交付、客户验证和 7nm 工艺进展。