单晶体管组成的电路
使用单个晶体管，我们可以构造共源放大器，源极跟随器 (共漏放大器)，也称为电压缓冲器，以及共栅放大器，也称为电流缓冲器。
图 1 单个晶体管组成的三种基本电路
- 共源放大电路
IB=20uA, VB=450mv, Vdd=1.2v, VAC=20mv
晶体管参数：I=130nm, W=280nm; 宽长比 = 28/13;
负载电容 CL=1pF
直流静态工作点如下图标注：
图 2 共源放大电路静态工作点
从图3 中可以得到：增益 G= 22.3dB, 带宽 BW= 31.9MHz;
图 3 共源放大电路增益和带宽
增加晶体管的沟道长度：I=390nm, 宽度保持不变，W=280nm;
直流静态工作点如下图标注：
图4 共源放大电路静态工作点
从图5 中可以得到：增益 G= 24.9dB, 带宽 BW= 31.0MHz;
因此增加晶体管的沟道长度，增益增大，带宽略有减小；
图 5 共源放大电路增益和带宽
增加晶体管的沟道宽度：W=840nm，长度I=130nm 保持不变：
直流静态工作点如下图标注：
图6 共源放大电路静态工作点
从图7 中可以得到：增益 G= 25.5dB, 带宽 BW= 44.8MHz;
因此增加晶体管的沟道宽度，增益增大，带宽显著增大；
图 7 共源放大电路增益和带宽
同时增加晶体管的沟道长度和宽度：W=840nm，I=390nm 宽长比保持不变：
直流静态工作点如下图标注：
图8 共源放大电路静态工作点
从图9 中可以得到：增益 G= 29.7dB, 带宽 BW= 41.5MHz;
同时增加晶体管的沟道长度和宽度，增益显著增大，带宽显著增大；
图 9 共源放大电路增益和带宽
同时增加晶体管的沟道长度和宽度：W=840nm，I=390nm 宽长比保持不变； 减小偏置电流IB=10uA,：
直流静态工作点如下图标注：
图10 共源放大电路静态工作点
从图11 中可以得到：增益 G= 29.8dB, 带宽 BW= 21.9MHz;
因此减小晶体管偏置电流，增益基本不变，带宽显著减小；
图 11 共源放大电路增益和带宽
同时增加晶体管的沟道长度和宽度：W=840nm，I=390nm 宽长比保持不变； 增大偏置电流IB=40uA,：
直流静态工作点如下图标注：
图12 共源放大电路静态工作点
从图13 中可以得到：增益 G= 23.3dB, 带宽 BW= 70.0MHz;
因此增大偏置电流，增益显著减小，带宽显著增大；
图 13 共源放大电路增益和带宽
IB=20uA, VB=450mv, Vdd=1.2v,
晶体管的沟道长度和宽度：W=840nm，I=390nm 宽长比保持不变；;
增大负载电容 CL=5pF
直流静态工作点如下图标注：
图14 共源放大电路静态工作点
从图15 中可以得到：增益 G= 29.7dB, 带宽 BW= 8.3MHz;
因此增大负载电容，增益保持不变，带宽显著减小 ；
图 15 共源放大电路增益和带宽
减小负载电容 CL=200fF：
直流静态工作点如下图标注：
图16 共源放大电路静态工作点
从图17 中可以得到：增益 G= 29.7dB, 带宽 BW= 199.7MHz;
因此减小负载电容，增益保持不变，带宽显著增大；
图 17 共源放大电路增益和带宽
2. 共漏放大电路
IB=20uA, VB=450mv, Vdd=1.2v, VAC=20mv
晶体管参数：I=130nm, W=280nm; 宽长比 = 28/13;
负载电容 CL=200fF
直流静态工作点如下图标注：
图18 共漏放大电路静态工作点
从图19 中可以得到：增益 G 接近于0，即单位增益, -3dB带宽 BW= 121.7MHz;
图 19 共漏放大电路增益和带宽
增大负载电容 CL=1pF
直流静态工作点如下图标注：
图20 共漏放大电路静态工作点
从图21 中可以得到：增益 G 接近于0，即单位增益, -3dB带宽 BW= 24.4MHz;
因此增大负载电容，增益保持不变，带宽显著减小 ；
图 21 共漏放大电路增益和带宽
增大负载电容 CL=5pF
直流静态工作点如下图标注：
图22 共漏放大电路静态工作点
从图23 中可以得到：增益 G 接近于0，即单位增益, -3dB带宽 BW= 4.9MHz;
因此增大负载电容，增益保持不变，带宽显著减小 ；
图 23 共漏放大电路增益和带宽
3. 共栅放大电路
IB=20uA, VB=800mv, Vdd=1.2v, VAC=20mv
晶体管参数：I=130nm, W=280nm; 宽长比 = 28/13;
负载电容 CL=1pF
直流静态工作点如下图标注：
图24 共栅放大电路静态工作点
从图25 中可以得到：该结构构不成放大电路;
图 25 共栅放大电路增益和带宽