晶体管（英语：transistor），早期音译为穿细丝体，是一种类似于阀门的固体半导体器件，可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。
在1947年，由约翰·巴丁、沃尔特·布拉顿和威廉·肖克利所发明。当时巴丁、布拉顿主要发明半导体三极管；肖克利则是发明PN二极管，他们因为半导体及晶体管效应的研究获得1956年诺贝尔物理奖[1]。
晶体管由半导体材料组成，至少有三个对外端点（称为极），(C)集电极、(E)发射极、(B)基极，其中(B)基极是控制极，另外两个端点之间的伏安特性关系是受到控制极的非线性电阻关系。晶体管基于输入的电流或电压，改变输出端的阻抗，从而控制通过输出端的电流，因此晶体管可以作为电流开关，而因为晶体管输出信号的功率可以大于输入信号的功率，因此晶体管可以作为电子放大器。
晶体管分类
晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）
晶体管一般都有三个极，其中一极兼任输入及输出端子，(B)基极不能做输出，(C)集电极不能做输入之外，其余两个极组成输入及输出对。 晶体管之所以有如此多用途在于其信号放大能力，当微细信号加于其中的一对极时便能控制在另一对极较大的信号，这特性叫增益。
当晶体管于线性工作时，输出的信号与输入的讯息成比例，这时晶体管就成了一放大器。这是在模拟电路中的常用方式，例如电子放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路；
当晶体管的输出不是完全关闭就是完全导通时，这时晶体管便是被用作开关使用。这种方式主要用于数字电路，例如数字电路包括逻辑门、随机存取内存（RAM）和微处理器。另外在开关电源中，晶体管也是以这种方式工作。
而以何种形式工作，主要取决于晶体管的特性及外部电路的设计。
双极性晶体管的三个极，发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）[2]:31; 射极到基极的微小电流，会使得发射极到集电极之间的阻抗改变，从而改变流经的电流[2]:31；
场效应晶体管的三个极，源极（Source）、闸（栅）极（Gate）和漏极（Drain）[2]:41。 在栅极与源极之间施加电压能够改变源极与漏极之间的阻抗，从而控制源极和漏极之间的电流。
晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随隅器）[2]:37-39。
晶体管在应用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。若在超额的状态下使用，会破坏晶体管内部的结构。每种型号的晶体管还有像是直流放大率hFE、NF噪讯比等特性，可以借由晶体管规格表得知。
晶体管可以依以下的方式分类：
- 半导体材料（最早使用的分类）：类金属锗（1947）及硅（1954）— 非晶、多晶及单晶形式）、化合物半导体有砷化镓（1966）及碳化硅（1997）、硅锗合金（1989），2004年开始研究的碳的同素异形体石墨烯等。
- 结构：BJT、JFET、IGFET (MOSFET)、IGBT等。
- 电极性（正电及负电，类似化学极性）：n–p–n及p–n–p（BJT），N沟道及P沟道（FET）
- 最大功率额定：可分为低功率、中功率及高功率。
- 最大工作频率：低频、中频、高频、无线电频率（RF）、微波频率：晶体管的最大等效频率是用{\displaystyle f_{\mathrm {T} }}表示，是过渡频率的缩写，过渡频率是增益为1时的频率。
- 应用：开关、泛用、音频、高压等。
- 封装：插入式金属封装或塑胶封装、表面黏着技术、球栅阵列封装、功率晶体等。
- 增益系数：hfe、βF[8]或gm（跨导）等。
现在也已发明许多新类型的晶体管。已有在低温下操作的单电子晶体管（single electron transistor SET）[9]，以及单原子晶体管（single atom transistor SAT） [10] ，其中，原子是个别地植入。
双极性晶体管（BJT）
双极性晶体管同时利用半导体中的多数载流子及少数载流子导通，因此得名。双极性晶体管是第一个量产的晶体管，是由二种不同接面的二极管组成，其结构可分为二层N型半导体中间夹一层P型半导体的NPN晶体管，以及二层P型半导体中间夹一层N型半导体的PNP晶体管[2]:32。因此会有二个PN结，分别是基极-发射结及基极-集电结，中间隔着一层的半导体，即为基极。
双极性晶体管和场效应晶体管不同，双极性晶体管是低输入阻抗的元件。当基集电极电压（Vbe）提高时，集电极发射极电流（Ice）会依肖克基模型及艾伯斯-莫尔模型，以指数形式增加。因此双极性晶体管的跨导比FET要高。
双极性晶体管也可以设计为受到光照射时导通，因为基极吸收光子会产生光电流，其效应类似基极电流，集电极电流一般是光电流的β倍，这类的晶体管一般会在封装上有一透明窗，称为光晶体管。
场效应晶体管（FET）
场效应晶体管利用电子（N沟道FET）或是空穴（P沟道FET）导通电流。场效应晶体管都有栅极（gate）、漏极（drain）、源极（source）三个极，若不是结型场效应晶体管，还会有一极，称为体（body）。大部分的场效应晶体管中，体（body）会和源极相连。
在场效应晶体管中，源漏极电流会流过连接源极和漏极之间的沟道，导通程度会依栅极和源极之间的电压产生的电场而定，因此可以利用闸源极电压控制源漏极电流，做为一个简单的开关。当闸源极电压Vgs变大时，若Vgs小于临界电压VT时，源漏极电流Ids会指数方式增加，若Vgs大于临界电压VT时，源漏极电流和闸源极电压会有以下的平方关系{\displaystyle I_{ds}\propto (V_{gs}-V_{T})^{2}}，其中VT是临界电压[11]。不过在一些现代的元件中，观察不到上述的平方特性，像是65奈米及以下沟道长度的元件[12]。
场效应晶体管可以分为两种：分别是结型场效应管（JFET）及绝缘栅极场效晶体管（IGFET），后者最常见的是金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其名称上反映了其原始以金属（栅极）、氧化物（绝缘层）及半导体组成的架构。结型场效应晶体管在源漏极之间形成了PN二极管。因此N沟道的JFET类似真空管的三极管，两者也都是运作在耗尽区，都有高输入阻抗，也都用输入电压来控制电流。