从完整的生产链考虑，芯片制造有四大关键：芯片设计、光刻机制造、芯片制程（工艺）、芯片封测。这四大关键可简称为：软件、工具、工艺、封测。用通俗的话说，芯片制造的过程就是，先以软件设计，再用工具按照一定工艺制作，最后将成品封装测试。
中国芯片制造业在这四大关键的水平如下。
芯片设计：接近世界水平（与高通的水平差不多，但芯片设计软件受制于美国，5nm以下禁止中国企业使用）
光刻机器：刚达90纳米，正在朝28纳米努力（最新ASML光刻机3纳米）
芯片制程：14纳米工艺（台积电5纳米工艺，正接近2-3纳米；Intel 7纳米）
芯片封测：接近世界水平（达5纳米）
总体而言，世界目前最先进的量产芯片在5纳米的水平，今后5年内可能实现2至3纳米。台积电将在美国建立的工厂就准备生产2-3纳米的晶圆片。
到目前为止，中国从国外所购买的光刻机最好的只有28纳米的DUV水平。由于美国禁运，中国无法得到14纳米以下的EUV光刻机。例如2018年，中国曾试图向ASML购买7纳米的EUV光刻机，但最终未获许可。据报道，中国的14纳米芯片工艺是在28纳米的DUV光刻机上实现的，但良率与成本不够理想。随着美国加大禁运力度，以后恐怕连28纳米刻光机都买不到了。
截止2022年，国产光刻机只有90纳米的水平。根据水桶理论，在今后相当长的一段时间里，中国量产芯片的最好水平将限制于10-14纳米，并且芯片生产的良率与成本有待大幅度提升。
芯片制造过去一直是在多国分工合作下进行的。现在美国打压禁运，中国已无法获取所需晶片与刻光机。这迫使中国在四大关键领域同时研发软硬件与技术工艺，费时费力费钱。此乃无可奈何的事情。
综上所述，中国在整个芯片生产中，软件与封装尚可，工具和工艺落后，尤以工具（光刻机）为甚者；若要全面赶超，需要充裕的人物力时间与持之以恒的决心。
就中国军用而言，目前有14-90纳米的芯片似乎足矣，也不必考虑良率与生产成本（反正打仗就是烧钱）。民用，除一部分领域（如高档手机），当然也够用。但从国际贸易国际竞争力的角度来看，拥有高端芯片制造技术与低成本的中低端芯片制造能力，却是必不可少的。此外，在先进武器装备安装高端芯片将是今后的趋势，绝不可忽视。
这里，高中低端芯片定义为：高端 — 20纳米以下；中端20 — 40纳米；低端 — 40纳米以上。特别要指出的是，研发成功与量产成功之间有巨大的差别，用两个词可以表述：良率、成本。
有鉴于此，中国芯片制造在今后10年有以下三个发展方向：
（1）努力降低中低端芯片（40-90纳米）的制造成本，使其接近世界水平
（2）研发出14-28纳米的光刻机，为以后生产5-7纳米芯片积累经验 （鉴于美国已经制裁中国唯一一家光刻机制造厂，看来独立生产光刻机不现实）
（3）将芯片制程技术提高到5-10纳米的水平
当上述三个任务完成后，中国就具备了赶超世界先进芯片制造的基础。注意，这里只是基础，要赶超仍需时日。这是因为，你在进步，别人也在进步。
假设15年后有了一条自主的完整的10纳米产业链，再给一个15年（此现在起总共30年，即到了2052年），中国的芯片制造就有可能达到世界先进水平，并且不会受制于人。话虽如此，如果这期间走了弯路，中国赶超世界先进的芯片制造水平可能需要更长的时间。芯片制造跟电动车制造不同，大炼钢铁适得其反，弯道超车不大可能，只能稳扎稳打慢工出细活。
关于光刻机，荷兰ASML极紫外光光刻机有5000多家供应商，没有一家是中国的。中国要想独立生产出光刻机，是不现实的。光刻机只能买日本佳能和尼康，但尼康佳能和ASML一起加入制裁中国芯片制造的行列，所以中国在10年内不可能制造出自己的28nm以下的光刻机。
