Menu Close

力积电

力晶积成电子制造股份有限公司(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation,简称力积电或 PSMC)是一家总部位于台湾新竹科学工业园区的专业晶圆代工厂,业务涵盖动态随机存取记忆体(DRAM)、非挥发性记忆体(Flash)制造及晶圆代工等领域。力积电(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC)是一家专业的晶圆代工厂,专注于成熟工艺,涵盖CMOS 影像传感器(CIS)、电源管理芯片(PMIC)、显示驱动 IC(DDI)、高压模拟 IC(HV Analog)、嵌入式存储(eNVM)、DRAM 及 Flash 代工等领域。力积电的核心竞争力在于8 英寸(200mm)和 12 英寸(300mm)晶圆制造能力,并积极拓展车用电子、AIoT、5G 及工业控制芯片代工业务。

力晶积成电子制造股份有限公司(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation,简称力积电或 PSMC)
力晶积成电子制造股份有限公司(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation,简称力积电或 PSMC)

总公司位于台湾新竹市新竹科学工业园区,创办人为黄崇仁,现任总经理为谢再居。

力积电现有12英寸晶圆厂三座(P1、P2、P3厂)及8英寸晶圆厂二座,12吋晶圆厂是目前台湾产能最大的存储器芯片制造公司。

发展历程

  • 1994年12月:“力晶半导体股份有限公司”(Powerchip Semiconductor Corporation)成立。
  • 1997年:与旺宏旗下的鑫成投资公司合资成立力成科技
  • 1998年:力晶半导体以科技类股票在中华民国证券柜台买卖中心挂牌上柜(柜买中心:5346)。
  • 1999年:力晶半导体发行全球存托证书,成为台湾第一家在卢森堡证券交易所上市的上柜公司。
  • 2006年11月:力晶半导体与日本尔必达签订合作备忘录,以新台币4,500亿元于台湾中部科学园区后里园区合资设立“瑞晶电子股份有限公司”,建置当时全球最大12英寸晶圆DRAM厂区;双方并决定共同开发50纳米以下DRAM先进制程技术。
  • 2008年4月:力晶半导体8吋晶圆厂(8A厂)分割为钜晶电子股份有限公司(Maxchip Electronics Corporation)。
  • 2010年6月:力晶半导体更名为“力晶科技股份有限公司”(Powerchip Technology Corporation)。
  • 2011年Q3:力晶科技DRAM产品出货中国大陆畅旺。
  • 2012年12月:力晶科技决定淡出标准型存储器产销,转型为晶圆代工。
  • 2012年12月11日:力晶科技因DRAM价格惨跌而累计大亏逾新台币千亿元,每股净值由正转负,依《财团法人中华民国证券柜台买卖中心业务规则》第12条之2第1项第4款规定,被迫下柜与沦为银行监管财务的纾困对象,转为公开发行公司。
  • 2013年6月:力晶科技与金士顿科技缔结动态随机存储器代工盟约。
  • 2013年8月:力晶科技出售瑞晶电子持股予美光科技,并获取美光-尔必达25纳米动态随机存储器的专利授权。
  • 2014年:力晶科技成功转型为专业晶圆代工公司,偿还新台币千亿元负债。
  • 2015年10月:力晶科技与中国大陆安徽省合肥建投集团签订合资协议,于合肥市成立晶合集成电路公司[3][4][5]。
  • 2016年4月:力晶科技公布财报,已连续三年获利,每股净值已回升至新台币10元以上,而2015年全年税后净利新台币102.81亿元、每股盈余新台币4.64元。
  • 2018年9月11日:钜晶电子更名为“力晶积成电子制造股份有限公司”(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation)。
  • 2019年5月1日:力晶科技将晶圆厂及相关营业、业务分割让与力积电,由力积电主导晶圆代工产销,力晶科技转为控股公司。
  • 2023年10月,宣布与日本SBI控股集团合资成立JSMC,项目投资8000亿日圆(约新台币1695亿元)在日本设厂,首座晶圆厂选定落脚宫城县黑川郡大衡村的第二北仙台中央工业园区,第1阶段的生产预计2027年启动。 (已取消)
  • 2024年2月,力积电赴印度将与印度最大企业塔塔集团旗下的Tata Electronics公司合作在古吉拉特邦阿默达巴德兴建印度首座12吋晶圆厂。

晶圆厂区

12英寸厂:

  • Fab P1 地址:新竹市力行一路12号(新竹科学园区) (总部)
  • Fab P2 地址:新竹市力行一路12号(新竹科学园区)
  • Fab P3 地址:新竹市力行路16-1号(新竹科学园区)
  • 晶圆测试厂 地址:新竹市力行路16-1号(新竹科学园区)
  • Fab P5 地址:苗栗县铜科七路8号(铜锣科学园区)
  • Fab P6 地址:铜锣科学园区 (2025年启动兴建工程)
  • 日本厂: 与日本SBI控股株式会社合资,预计2025年启动兴建工程 (已取消)

转投资:

  • 晶合集成 地址:安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

8英寸厂:

  • Fab 8A 地址:新竹市力行一路18号(新竹科学园区)
  • Fab 8B 地址:苗栗县科北二路6号(竹南科学园区)

月产能(2024 年)

  • 8 吋晶圆:10 万片/月
  • 12 吋晶圆:7 万片/月(持续扩充)

力积电(PSMC)晶圆代工业务详解

力积电(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC)是一家专业的晶圆代工厂,专注于成熟工艺,涵盖CMOS 影像传感器(CIS)、电源管理芯片(PMIC)、显示驱动 IC(DDI)、高压模拟 IC(HV Analog)、嵌入式存储(eNVM)、DRAM 及 Flash 代工等领域。力积电的核心竞争力在于8 英寸(200mm)和 12 英寸(300mm)晶圆制造能力,并积极拓展车用电子、AIoT、5G 及工业控制芯片代工业务。

1. 主要工艺技术及应用

力积电的晶圆代工业务涵盖多种特色制程,主要应用于消费电子、工业控制、汽车电子、物联网(IoT)、存储芯片等领域。

(1)CMOS 影像传感器(CIS)代工

力积电是全球主要的CMOS 影像传感器(CIS)代工厂之一,为手机、安防监控、汽车摄像头及工业相机等提供晶圆代工服务。

  • 主要应用:

    • 手机 & 平板摄像头
    • 车载摄像头(ADAS / 360° 环视系统)
    • 监控摄像头(安防、工业相机)
    • 3D 传感 & ToF(Time-of-Flight)
    • 虹膜识别 & 生物识别
  • 技术特点:

    • 提供 65nm / 90nm / 110nm / 180nm CIS 工艺
    • 低噪声、高灵敏度,提升影像质量
    • 背照式(BSI)CIS 技术支持
    • 集成 HDR、高动态范围增强技术

(2)电源管理 IC(PMIC)代工

力积电提供先进的电源管理芯片(PMIC)制造工艺,适用于智能手机、笔记本电脑、服务器、电动汽车、物联网设备等。

  • 主要应用:

    • 直流/直流转换器(DC-DC Converter)
    • 低压差稳压器(LDO)
    • 快充 IC(USB PD & QC)
    • 电池管理 IC(BMS)
    • 车用电源管理
  • 技术特点:

    • 高压 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺支持(40V ~ 100V)
    • 采用 0.18μm / 0.25μm / 0.35μm 高压 CMOS & BCD 工艺
    • 高能效 & 低功耗设计,提升续航能力
    • 支持 GaN / SiC 功率 IC 代工

(3)显示驱动 IC(DDI)代工

力积电的 DDI 代工技术涵盖OLED、LCD、Micro-LED 及 ePaper 显示驱动芯片

  • 主要应用:

    • OLED / LCD 屏幕驱动 IC
    • 触控 IC(TDDI / In-Cell)
    • Micro-LED 显示控制芯片
    • 电子纸(E-Ink)驱动芯片
  • 技术特点:

    • 0.11μm / 0.18μm / 0.25μm 高压制程
    • 低功耗、超低漏电流设计
    • 支持 6V ~ 40V 高压工艺
    • 兼容 AMOLED & Micro-LED 技术

(4)高压模拟 IC(HV Analog)代工

力积电提供高压模拟 IC(HV Analog)制程,广泛用于智能电表、电源管理、工业控制及 LED 驱动。

  • 主要应用:

    • LED 照明驱动 IC
    • 工业电机驱动
    • 智能电表 IC
    • 医疗电子(生物信号放大 IC)
  • 技术特点:

    • 采用 0.18μm / 0.25μm / 0.35μm 高压 CMOS / BCD 工艺
    • 支持 5V ~ 120V 高压设计
    • 高可靠性 & 低功耗设计

(5)嵌入式存储(eNVM)代工

力积电的嵌入式非易失性存储(eNVM)制程适用于 MCU微控制器)、智能卡、安全芯片及物联网设备。

  • 主要应用:

  • 技术特点:

    • 提供 0.18μm / 0.22μm / 0.35μm eFlash / EEPROM 工艺
    • 高数据保存能力(>10 年)
    • 低功耗 & 高耐久性

(6)DRAM & NAND Flash 代工

力积电的 DRAM 代工主要涵盖低功耗 DRAM(LPDRAM)、高速 DRAM(DDR3 / DDR4)及嵌入式 DRAM(eDRAM),NAND Flash 代工聚焦于工业级 & 车规级存储解决方案。

  • 主要应用:

    • AIoT 设备存储芯片
    • 车载存储芯片(车规级 DRAM & NAND)
    • 工业存储(SSD / UFS / eMMC)
  • 技术特点:

    • 支持 28nm / 38nm / 50nm DRAM 制程
    • 提供 2D NAND Flash 代工服务
    • 适用于高可靠性 & 长寿命存储应用

    2. 未来发展方向

    • 扩展 12 吋晶圆代工,提升 PMIC / CIS / eNVM 产能
    • 强化车用电子(车规级 PMIC / DRAM / Flash)布局
    • 推进 28nm 先进 DRAM 代工
    • 扩展 AIoT & 工业控制市场

    力积电凭借特色工艺、多元化代工服务及稳定产能,已成为全球晶圆代工市场的重要玩家,在 PMIC、CIS、eNVM 及 DRAM 代工领域占据重要地位

    力积电(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC)公司网站和联系方法

    力积电(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation,简称 PSMC)是一家总部位于台湾的新竹科学园区的专业晶圆代工厂。

    其官方网站为 https://www.powerchip.com

    联系方式:

    • 地址:新竹科学园区新竹市力行一路18号
    • 电话:+886-3-5795000
    • 传真:+886-3-6687809

    Entires个相关

    除教程外,本网站大部分文章来自互联网,如果有内容冒犯到你,请联系我们删除!

    发表回复

    您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注

    Leave the field below empty!